[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610101661.9 | 申请日： | 1995-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1917187A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 小山润;河崎祐司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 每根数据线的数据保持控制信号提供给并联在一起的多个源极跟随器。并联的源极跟随器是至少一个只用激光照射一次的第一跟随器和至少一个照射两次的第二跟随器的组合。用于结晶的激光照射的宽度等于源极跟随器的间隔乘以一个不小于3的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括缓冲电路的半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成半导体膜；用光束照射所述半导体膜，使所述半导体膜结晶；以及通过将结晶的半导体膜用作有源层形成所述缓冲电路，其中每个所述缓冲电路至少包括相互连接的第一电路和第二电路，其中，所述缓冲电路在所述衬底上沿第一方向设置，而所述光束在所述半导体膜处沿垂直于所述第一方向的第二方向具有细长的截面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610101661.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：表面声波装置及其制造方法
- 下一篇：阀装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
