[发明专利]非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200610101497.1 | 申请日： | 2006-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1905213A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 三谷祐一郎;松下大介;大场龙二;上冈功;小泽良夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储器，能够将隧道绝缘膜作成难以生成缺陷的高品质的绝缘膜，而且可谋求漏电流的减少、元件特性和可靠性的提高。本发明的非易失性半导体存储器具备：在第1导电类型的半导体衬底(11)的主面上有选择地形成的隧道绝缘膜(13)；在该隧道绝缘膜(13)上形成的浮栅电极(14)；在浮栅电极(14)上形成的多晶硅间绝缘膜(15)；在多晶硅间绝缘膜(15)上形成的控制栅电极(16)；以及在衬底(11)的主面上形成的第2导电类型的源/漏区(12)，隧道绝缘膜(13)是用氧化硅膜(13b、13c)夹着氮化硅膜(13a)的3层结构，氮化硅膜(13a)是在面内方向上连续的膜，具有三配位的氮结合，而且，氮的第二接近原子的至少1个是氮。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，具备：在第1导电类型的半导体衬底的主面上有选择地形成的第1栅绝缘膜；在该第1栅绝缘膜上形成的浮栅电极；在上述浮栅电极上形成的第2栅绝缘膜；在该第2栅绝缘膜上形成的控制栅电极；以及在上述衬底的主面上形成的第2导电类型的源/漏区，其特征在于：上述第1栅绝缘膜是用至少含有硅和氧的第2、第3绝缘膜夹着至少含有硅和氮的第1绝缘膜的3层结构，上述第1绝缘膜是在面内方向上连续的膜，具有三配位的氮结合，而且，氮的第二接近原子的至少1个是氮。
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