[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610101477.4 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1893093A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 加藤树理 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其中分别隔着栅极绝缘膜(8a、9a)，在单晶半导体层(5a、6a)上形成以横跨元件分离绝缘层(7a)的方式配置的栅电极(10a)，在单晶半导体层(5a)形成以夹持栅电极(10a)的方式配置的P型源极层(11a)及P型漏极层(12a)，在单晶半导体层(6a)形成以夹持栅电极(10a)的方式配置的N型源极层(13a)及N型漏极层(14a)，形成贯通栅电极(10a)、元件分离绝缘层(7a)及绝缘层(4a)并与半导体层(3a)连接的嵌入电极(15a)。从而，不但抑制芯片尺寸的增大，还在配置于绝缘体上的导电型不同的场效应型晶体管下形成场电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：以共用栅电极的方式形成有P沟道场效应型晶体管及N沟道场效应型晶体管的半导体层；被共通配置于所述P沟道场效应型晶体管及N沟道场效应型晶体管双方的沟道中，并隔着第一绝缘层形成于所述半导体层的背面侧的场电极；和配置于所述场电极下的第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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