[发明专利]氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序

摘要

本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成氮氧化硅膜。该成膜方法具有相互交替的第一至第六工序。在第一、第三和第五工序中，分别供给第一、第二和第三处理气体，停止其他两种处理气体的供给。在第二、第四和第六工序中，停止第一、第二和第三处理气体的供给。所述第三和第五工序具有激励期间，所述第二和第三处理气体在由激励机构所激励的状态下被供给至所述处理区域。

主权项

1.一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于：其是在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成氮氧化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其中，按照下述顺序交替地包括：第一工序，对所述处理区域供给所述第一处理气体，另一方面，停止对所述处理区域供给所述第二以及第三处理气体；第二工序，停止对所述处理区域供给第一、第二以及第三处理气体；第三工序，对所述处理区域供给所述第二处理气体，另一方面，停止对所述处理区域供给所述第一以及第三处理气体，其中，所述第三工序具有激励期间，在所述激励期间内，所述第二处理气体在由激励机构所激励的状态下被供给至所述处理区域；第四工序，停止对所述处理区域供给第一、第二以及第三处理气体；第五工序，对所述处理区域供给所述第三处理气体，另一方面，停止对所述处理区域供给所述第一以及第二处理气体，其中，所述第五工序具有激励期间，在所述激励期间内，所述第三处理气体在由激励机构所激励的状态下被供给至所述处理区域；以及第六工序，停止对所述处理区域供给第一、第二以及第三处理气体。