[发明专利]半导体集成电路、标准单元、标准单元库、设计方法及设计装置有效
| 申请号： | 200610100502.7 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1893074A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 当房哲朗;冈本奈奈;矢野纯一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制由光邻近效应引起的栅长离差的半导体集成电路，包括：可激活的第1晶体管，由沿第1方向延伸的第1栅极和第1扩散区域形成；第2晶体管，由沿上述第1方向延伸的第2栅极和第2扩散区域形成，在与上述第1方向正交的第2方向上与上述第1晶体管相邻；以及沿上述第1方向延伸的第3栅极，在与上述第2晶体管相反的一侧，在上述第2方向上与上述第1晶体管相邻。上述第1栅极和上述第2栅极之间的间隔，比上述第1栅极和上述第3栅极之间的间隔大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 标准 单元 设计 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，其特征在于，包括：可激活的第1晶体管，由沿第1方向延伸的第1栅极和第1扩散区域形成；第2晶体管，由沿上述第1方向延伸的第2栅极和第2扩散区域形成，在与上述第1方向正交的第2方向上与上述第1晶体管相邻；以及沿上述第1方向延伸的第3栅极，在与上述第2晶体管相反的一侧，在上述第2方向上与上述第1晶体管相邻，其中，上述第1栅极和上述第2栅极之间的间隔，比上述第1栅极和上述第3栅极之间的间隔大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610100502.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
