[发明专利]后侧照光的半导体装置有效
| 申请号： | 200610100018.4 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1897287A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 许慈轩;伍寿国;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/08;H01L31/0216;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种后侧照光的半导体装置，包括：半导体基底，具有前侧表面与后侧表面；感测元件，位于该半导体装置的前侧表面上；以及反光层，设置于该感测元件之上，设置于该半导体基底之上，其中该反光层具有面对该感测元件的反射面，而该反射面大体对应该感测元件80％的表面，其中该反光层用以反射朝向该后侧表面以及穿透该感测元件的光线。因此，本发明的后侧照光的半导体装置中的反光层可反射照射透过该感测元件区域的光线80％以上，反光层也可反射至少照射于其上的光线30％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 后侧照光 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种后侧照光的半导体装置，包括：半导体基底，具有前侧表面与后侧表面；感测元件，位于该半导体装置的前侧表面上；以及反光层，设置于该半导体基底之上，其中该反光层具有面对该感测元件的反射面，而该反射面大体对应该感测元件80％的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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