[发明专利]大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法

摘要

一种大功率650nm量子阱半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：(1)激光器一次外延：在衬底上依次外延生长缓冲层、N型包层、有源区、第一P型包层、腐蚀阻挡层、第一P型包层和GaAs保护层；(2)制作脊形波导：在GaAs保护层中间光刻出一窄条形，形成一条状的脊形波导结构；(3)二次外延：在脊形波导及脊形波导两侧的腐蚀阻挡层上依次外延生长第二P型包层、电极接触层；(4)制作非吸收窗口：在刻蚀完的扩散掩膜层上生长氧化锌层，将氧化锌层作为锌扩散源，进行扩散，实现有源区的量子阱混杂，形成非吸收窗口；完成激光器芯片结构的制作。

主权项

1.一种大功率650nm量子阱半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)激光器一次外延在衬底上依次外延生长缓冲层、N型包层、有源区、第一P型包层、腐蚀阻挡层、第一P型包层和GaAs保护层；(2)制作脊形波导在GaAs保护层中间光刻出一窄条形，然后用湿法腐蚀的方法，对一次外延片进行腐蚀，使得除光刻以外的部分被腐蚀到腐蚀阻挡层，形成一条状的脊形波导结构；(3)二次外延将一次外延片去胶，然后在脊形波导及脊形波导两侧的腐蚀阻挡层上依次外延生长第二P型包层、电极接触层；(4)制作非吸收窗口在电极接触层上生长扩散掩膜层，并将扩散掩膜层的两端刻蚀出与脊形波导垂直的两横向的条形；在刻蚀完的扩散掩膜层上生长氧化锌层，将氧化锌层作为锌扩散源，进行扩散，实现有源区的量子阱混杂，形成非吸收窗口；然后将ZnO层以及扩散掩膜层用腐蚀液腐蚀掉，完成激光器芯片结构的制作。