[发明专利]闪存器件的页面缓冲电路及其编程操作方法无效

专利信息
申请号: 200610099407.X 申请日: 2006-07-14
公开(公告)号: CN101017705A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 郑畯燮 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种页面缓冲电路,包括位线选择电路、主寄存器、编程传输电路、临时寄存器和检验传输电路。在编程检验操作期间,该检验传输电路响应传输控制信号通过感测节点将存贮在该临时寄存器中的数据传输至该主寄存器。已确定在先前的编程检验过程中被编程的存储器单元在下一编程检验过程中被再次检验。
搜索关键词: 闪存 器件 页面 缓冲 电路 及其 编程 操作方法
【主权项】:
1.一种闪存器件的页面缓冲电路,包括:主寄存器,其用以根据输入控制信号来存贮第一或第二输入数据,所述主寄存器耦合到耦合到位线选择电路的感测节点,以根据第一锁存控制信号来存贮所述感测节点的第一感测数据;编程传输电路,其被提供在所述主寄存器与所述感测节点之间,所述编程传输电路被配置成在给定的时间接收所述第一感测数据、所述第一输入数据或所述第二输入数据,并且响应编程控制信号将从所述主寄存器接收的数据之一输出至所述感测节点;临时寄存器,其耦合到所述感测节点,并且响应第二锁存控制信号来存贮第二感测数据;以及检验传输电路,其用以在编程检验操作期间,响应传输控制信号通过所述感测节点将所述第二感测数据传输至所述主寄存器。
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