[发明专利]阵列式电子束蚀刻装置及蚀刻方法无效
申请号: | 200610099247.9 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN101110346A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 郑正元;詹德凤;郑奎文 | 申请(专利权)人: | 东元电机股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01J37/317;C23F4/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具有碳纳米管电子发射源的阵列式电子束蚀刻装置及蚀刻方法,该装置的结构主要包括真空腔体、阴极板、阳极板及驱动单元,其中该阴极板及阳极板均设置于真空腔体中,该阴极板上具有多个独立构成的阴极单元,阳极板与阴极板对应平行设置,该阳极板用于设置待进行蚀刻的基材,最后驱动单元与阳极板及阴极板上的各阴极单元电连接,各独立的阴极单元通过驱动单元所提供的电场产生电子束以进行蚀刻,由此使得蚀刻工艺的精密度增加,同时具有该阴极单元可替换的优势。 | ||
搜索关键词: | 阵列 电子束 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列式电子束蚀刻装置,包括:真空腔体;阴极板,其设置于所述真空腔体中,所述阴极板上设有多个各自独立的阴极单元;阳极板,其设置于所述真空腔体中,且与所述阴极板对应平行设置,所述阳极板包括基板和蚀刻靶材,所述蚀刻靶材设置于所述基板内侧;驱动单元,其设置于所述真空腔体之外,且与所述阴极板上的各阴极单元及所述阳极板电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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