[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供可在凸起的下方设置半导体器件的高可靠性的半导体装置。该装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设于该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；形成于所述器件形成区(10A)内的器件(30)；设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(60)；设于所述层间绝缘层(60)上面的电极垫(62)；钝化层(70)，具有位于所述电极垫(62)的上面的、使该电极垫(62)的至少一部分露出的开口(72)；凸起(80)，设于所述开口(72)处，平面形状为具有短边和长边的长方形，在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复，在所述半导体层(10)中，从所述凸起(80)的所述短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区(12)。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体层，具有器件形成区和设于所述器件形成区周围的器件分离区；形成于所述器件形成区内的器件；设于所述半导体层上面的层间绝缘层；设于所述层间绝缘层上面的电极垫；钝化层，位于所述电极垫的上面，具有使所述电极垫的至少一部分露出的开口；以及凸起，设于所述开口处，其平面形状为具有短边和长边的长方形，在俯视图上所述凸起与所述器件至少一部分重复，其中，在所述半导体层中，从所述凸起的所述短边的垂直下方朝外侧及内侧的预定范围是器件禁止区。