[发明专利]垂直双扩散型场效应管兼容常规场效应管的制作方法

摘要

垂直双扩散型场效应管兼容常规场效应管的制作方法是一种用于制造高压集成电路的BCD工艺方法，该方法采用制作VDMOS的硅材料片，在芯片外围进行高浓度P+1注入，推结深：进行低压区PWELL1注入，进行低压区NWELL注入，整个芯片预栅氧化，整片注入杂质磷、氧化，将厚氧化层刻蚀，再进行整片氧化，在整片多晶硅淀积、掺杂和刻蚀，刻蚀后留下分压场板，在VDMOS区域进行PWELL2的硼注入，推结深；在用来做VDMOS源极、CMOS的NMOS源漏PMOS衬底偏置区域进行N+的砷注入，在CMOS的PMOS源漏NMOS衬底偏置位置进行硼注入“P+2”，进行接触孔刻蚀，整个芯片蒸铝，腐蚀铝，形成金属引线，刻蚀压点。

主权项

1.一种垂直双扩散型场效应管兼容常规场效应管的制作方法，其特征在于该方法步骤如下：1.)采用制作VDMOS的硅材料片，在芯片外围进行高浓度P+1注入，推结深：是用来形成集成电路周围高压终端分压环和VDMOS区域阱接触，2.)在芯片上用来制作低压控制CMOS电路的位置进行低压区PWELL1注入，预推结深，3.)在低压区PWELL1里用来做PMOS的位置进行低压区NWELL注入，预推结深，4.)在用来制作器件的区域进行有源区刻蚀；其中高压VDMOS、低压CMOS区域都需要刻蚀干净，5.)整个芯片预栅氧化，开启调整；整片注入杂质磷，6.)整个芯片氧化，其目的在于形成高压的VDMOS的厚的栅氧化层，7.)将用来做低压CMOS区域的有源区，将厚氧化层刻蚀，再进行整片氧化，形成低压区薄栅氧化层，8.)在整片多晶硅淀积、掺杂和刻蚀，刻蚀后留下用来做器件栅极和芯片周围高压终端的分压场板，9.)在VDMOS区域进行PWELL2的硼注入，推结深；10.)在用来做VDMOS源极、CMOS的NMOS源漏PMOS衬底偏置区域进行N+的砷注入，11.)在CMOS的PMOS源漏NMOS衬底偏置位置进行硼注入“P+2”，推结深，12.)在芯片上用来接引线的位置进行接触孔刻蚀，13.)整个芯片蒸铝，腐蚀铝，形成金属引线，14.)在芯片上用来接外围引脚的位置刻蚀压点。