[发明专利]快闪存储器的低介电系数侧壁子结构有效
| 申请号： | 200610095922.0 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1917234A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴祝菁;易成名 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快闪存储器单元，包含有主表面的硅衬底，源极区域于一部分硅衬底之中且接近主表面，漏极区域于一部分硅衬底之中且接近主表面，且漏极区域与源极区域分隔。此快闪存储器单元包含第一介电层形成于主表面之上，浮动栅极置于第一介电层之上，层间栅极介电层置于浮动栅极之上，控制栅极置于层间栅极介电层之上，第二介电层及低介电系数介电侧壁子置于第二介电层之上。第一介电层覆盖漏极与源极之间的部分主表面。第二介电层围绕第一介电层、控制栅极、层间栅极介电层及浮动栅极的外侧部分。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 低介电 系数 侧壁 结构 | ||
【主权项】：
1、一种快闪存储器单元，包含：一硅衬底，具有一主表面；一源极区域，于一部分该硅衬底之中且接近该主表面；一漏极区域，于一部分该硅衬底之中且接近该主表面，且该漏极区域与该源极区域分隔；一第一介电层，形成于该硅衬底的该主表面之上，该第一介电层覆盖至少一部分该硅衬底中该漏极区域与该源极区域之间的该主表面；一浮动栅极，置于该第一介电层之上；一层间栅极介电层，置于该浮动栅极之上；一控制栅极，置于该层间栅极介电层之上；一第二介电层，围绕该第一介电层、该控制栅极、该层间栅极介电层及该浮动栅极的外侧部分；以及一低介电系数介电侧壁子，置于该第二介电层之上。
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