[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610094135.4 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1893137A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 大黑达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09;H01L41/22;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在半导体衬底上方以便向上地移动的致动器；由致动器移动的第一电极层；和提供在第一电极层上方并包括第二电极层的盖部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在所述半导体衬底上方以便向上地移动的致动器；通过所述致动器移动的第一电极层；和提供在第一电极层上方并包括第二电极层的盖部分。
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