[发明专利]存储器有效
| 申请号： | 200610094023.9 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1885547A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 山田光一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/112 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以减小存储单元尺寸的存储器。该存储器具有：在p型硅基板(11)的主表面上形成，作为在存储单元(9)中包含的二极管(10)的阴极和字线(7)起作用的n型杂质区域(12)；在n型杂质区域(12)的表面隔开规定间隔地形成多个，且作为二极管(10)的阳极起作用的p型杂质区域(14)；在p型硅基板(11)上形成，与p型杂质区域(14)连接的位线(8)；和设置在位线(8)的上层，以每个规定间隔与n型杂质区域(12)连接的布线层(27)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，具有：在半导体基板的主表面上形成，作为在存储单元中包含的二极管的一个电极以及字线起作用的第1导电型的第1杂质区域；在上述第1杂质区域12的表面隔开规定间隔地形成多个，且作为上述二极管的另一个电极起作用的第2导电型的第2杂质区域；在上述半导体基板上形成，与上述第2杂质区域连接的位线；和设置在上述位线的上层，以每个规定间隔与上述第1杂质区域连接的布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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