[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：在具有被全硅化物化的双栅极结构的半导体装置中，通过提高栅极电极的稳定性来提高半导体装置的可靠性。在形成成为N型MIS晶体管形成区域的栅极电极的NiSi膜(110A)的同时，形成成为P型MIS晶体管形成区域的栅极电极的Ni₃Si膜(110B)。将未反应的N型多结晶硅膜(103A)作为防止NiSi膜(110A)和Ni₃Si膜(110B)之间的相互扩散的导电性扩散防止区域残留在元件隔离区域(101)上即硅化物化防止膜(106)下。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于：包括：第1元件区域及第2元件区域，夹着元件隔离区域相邻地形成在衬底上，第1栅极绝缘膜，形成在上述第1元件区域上，第2栅极绝缘膜，形成在上述第2元件区域上，以及栅极电极，连续地形成在上述第1栅极绝缘膜、上述元件隔离区域及上述第2栅极绝缘膜的各自上；上述栅极电极具有第1硅化物区域、第2硅化物区域和导电性扩散防止区域，该第1硅化物区域形成为与上述第1栅极绝缘膜接触在一起，该第2硅化物区域形成为与上述第2栅极绝缘膜接触在一起、且组成与上述第1硅化物区域的组成不同，该导电性扩散防止区域由上述元件隔离区域上的形成在上述第1硅化物区域和上述第2硅化物区域之间的非硅化物区域构成。