[发明专利]用于在集成电路上制造窄结构的方法有效
| 申请号： | 200610093777.2 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101071753A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;何家骅;陈士弘;陈介方 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用以在一具有一上表面的衬底上提供一如相变桥的窄直线的制造方法，包括首先在该衬底上形成第一材料层。接着，在该第一材料层之上施加图案化材料层，并定义一图案。此图案包括一阶壁，其具有一实质上延伸至该第一材料层的侧壁。一侧壁蚀刻掩膜形成于该阶壁之上，并用来在该衬底上定义一直线的第一材料，此直线的宽度实质上由侧壁蚀刻掩膜的宽度决定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 制造 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造窄结构的方法，包括：提供衬底，该衬底具有上表面；在该衬底上形成第一材料层；在该第一材料层上形成图案化材料层；在该图案化材料层中定义一图案，该图案在该图案化材料中包括一阶壁，该阶壁具有一实质上延伸至该第一材料层的侧壁；在该图案化材料中的该阶壁之上淀积一侧壁材料，并蚀刻该侧壁材料以在该阶壁之上形成一侧壁掩膜，该侧壁蚀刻掩膜具有远离该阶壁的第一侧以及接近该阶壁的第二侧，且在一直线内覆盖该第一材料层，该直线的宽度介于该第一侧与第二侧之间；以及利用该侧壁蚀刻掩膜而蚀刻该第一材料层，以在该衬底上定义该第一材料的一直线，该直线的宽度实质上由该侧壁蚀刻掩膜的宽度定义。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
