[发明专利]有着一ONO上介电层的非易失性存储器半导体元件有效
| 申请号： | 200610093746.7 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1909251A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器(NVM)单元，包含一硅衬底含有一主要表面，一位于该硅衬底中的一部分的源极区域，一位于该硅衬底中的一部分的漏极区域，以及一位于该硅衬底中的一部分并介于该源极和该漏极区域之间的阱区(well region)。该单元包含一形成于该衬底的该主要表面上的底部氧化层。该底部氧化层位于接近该阱区的该主要表面上。该单元包含一位于该底部氧化层之上的电荷储存层，一位于该电荷储存层之上的介电隧穿层，且一形成于该介电隧穿层之上的控制栅极。该介电隧穿层包含一第一氧化层，一氮化层和一第二氧化层。该非易失性存储器(NVM)单元的擦除，包含施加一正栅极电压使空穴自该栅极注入。 | ||
| 搜索关键词： | 有着 ono 上介电层 非易失性存储器 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储单元，包含：一有着一主要表面的硅衬底；一位于该硅衬底中接近该主要表面的一部分的源极区域；一位于该硅衬底中接近该主要表面的一部分的漏极区域，且该漏极区域与该源极区域隔离；一位于该硅衬底中接近该主要表面的一部分的阱区，并且其介于该源极区域和该漏极区域之间；一形成于该硅衬底的该主要表面上的底部氧化层，该底部氧化层位于该主要表面上接近该阱区的一部分；一位于对应该硅衬底的该主要表面的该底部氧化层上方的电荷储存层；一位于对应该硅衬底的该主要表面的该电荷储存层之上的介电隧穿层，以对应该硅衬底的该主要表面向外延伸的顺序，该介电隧穿层包含一第一介电氧化层，一介电氮化层，和一第二介电氧化层；以及一位于对应该硅衬底的该主要表面的该介电隧穿层之上的控制栅极。
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