[发明专利]非对称浮动栅极与非型快闪存储器有效
| 申请号： | 200610093745.2 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1921121A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 施彦豪;何家骅;吕函庭;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L23/522;H01L21/8239;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种与非型(NAND)快闪存储器元件，包含覆盖在各个字线的非对称浮动栅极。透过此一特定浮动栅极与其各自的字线有效耦合，可使用一大的栅极(如字线)偏压将浮动栅极耦合到具有一电压，可将浮动栅极下方的沟道反向。在浮动栅极下方的反向沟道因此可以作为源极/漏极。因此，此存储器元件不需要一浅接面或一辅助栅极。再者，此存储器元件具有相对较低的浮动栅极至浮动栅极(FG－FG)干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 浮动 栅极 非型快 闪存 | ||
【主权项】：
1、一种存储器元件，包含：一衬底；复数个位于该衬底之上且与该衬底绝缘的字线；以及浮动栅极，非对称地覆盖各个字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
