[发明专利]加工氮化物半导体晶体的方法无效
| 申请号： | 200610093295.7 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1883859A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;八乡昭广;西浦隆幸 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | B23H1/00 | 分类号： | B23H1/00;B23H1/06;B23H7/08;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在加工晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体(1)时，将电压施加在所述氮化物半导体晶体(1)和工具电极(3)之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 氮化物 半导体 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加工氮化物半导体晶体的方法，其中，当加工氮化物半导体晶体(1)时，将电压施加在所述晶体和工具电极(3)之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。
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