[发明专利]半导体复合装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610093250.X | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1884038A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 御手洗俊;池田浩一;多田正裕;秋叶朗;盛田伸也 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体复合装置及其制造方法。在将半导体元件和微型电机械装置于不同的基板上制作并且将它们复合化的模块中，会产生由芯片间的连接导致的电力损失或寄生电容增大等的特性恶化问题。另外，也成为阻碍模块的布局设计及尺寸缩小的原因。为了解决所述问题，本发明的半导体复合装置(1)包括：形成在基板(11)上的半导体元件(21)；覆盖所述半导体元件(21)且形成在所述基板(11)上的绝缘膜(41)；形成在所述绝缘膜(41)上的微型电机械装置(31)；与所述半导体元件(21)和所述微型电机械装置(31)连接的配线层(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体复合装置，其特征在于，包括：形成在基板上的半导体元件；覆盖所述半导体元件并形成在所述基板上的绝缘膜；形成在所述绝缘膜上的微型电机械装置；与所述半导体元件和所述微型电机械装置连接的配线层。
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