[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610093171.9 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1893021A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 阿部由之 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;H01L21/301;B24B37/00;B24D3/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种技术，其中可以抑制由污染杂质引起的半导体产品制造产量的降低。当减小半导体晶片的厚度，使得可以在背表面上形成例如厚度小于0.5μm、小于0.3μm或小于0.1μm的相对较薄的且具有吸除功能的破碎层，并且可以确保在通过分割或者基本分割使半导体晶片成为芯片后的管芯强度时，通过金刚石轮对该半导体晶片的背表面进行研磨，其中该金刚石轮利用具有无数气泡的玻璃化粘结剂B1保持例如粒度为#5000至#20000的金刚石研磨剂，并且在该无数气泡中注入具有粘性的合成树脂B2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在半导体晶片的第一主表面上方形成电路图形，所述半导体晶片具有第一厚度；(b)使用具有固定研磨剂的第一磨料，研磨所述半导体晶片的第二主表面，使所述半导体晶片变成第二厚度；(c)使用具有固定研磨剂的第二磨料，研磨所述半导体晶片的所述第二主表面，使所述半导体晶片变成第三厚度，并且在所述半导体晶片的所述第二主表面中形成破碎层，其中所述第二磨料的固定研磨剂的颗粒直径小于所述第一磨料的固定研磨剂的颗粒直径；以及(d)执行对所述半导体晶片的划片，将所述半导体晶片各自地分成芯片；其中所述第二磨料是一种研磨轮，其利用具有无数气泡的粘结剂保持固定研磨剂并且在所述无数气泡中注入合成树脂，所述粘结剂包括瓷材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
