[发明专利]用于FinFET的散热结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610093072.0 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1885564A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | J·H·兰金;B·A·安德森;W·F·小克拉克;E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L23/36;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种鳍片型场效应晶体管具有在衬底上的绝缘层和在绝缘层上延伸的鳍片。该鳍片具有沟道区域以及源极和漏极区域。栅极导体位于沟道区域上。绝缘层包括与鳍片邻近的散热结构部件，并且栅极导体的一部分与散热结构部件接触。散热结构部件可以包括在绝缘层中的凹槽或延伸穿过绝缘层的导热体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 散热 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍片型场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底；绝缘层，在所述衬底上；鳍片，在所述绝缘层上延伸，所述鳍片具有沟道区域；以及栅极导体，位于所述沟道区域上，其中所述绝缘层包括与所述鳍片邻近的散热结构部件，并且其中所述栅极导体的一部分与所述散热结构部件接触。
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