[发明专利]树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极无效
| 申请号： | 200610092944.1 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1870313A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘学林;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 树叶 脉络 大功率 氮化 发光二极管 芯片 电极 | ||
【主权项】：
1.树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，其特征在于设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。
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