[发明专利]制造硅单晶的方法

摘要

目的：在通过切克劳斯基法、利用石英坩埚制造硅单晶的方法中，在不受晶体直径及熔体初始进料量变化的影响下，以高的收率制得氧浓度分布均匀的硅单晶。结构：依据坩埚转速(Ω)、坩埚温度(T)及熔融硅与坩埚内壁接触面积及熔融硅与大气接触面积的比例(β)三个参数的关系，并通过利用石英熔入熔体内的溶解能(E)、以函数1/β×Exp(－E/T)结合温度(T)及比例(β)，通过预测生长中硅单晶中的氧浓度来调节硅单晶中的氧浓度，以控制转速(Ω)及温度(T)中的至少一个，使预测的氧浓度与目标浓度一致。

主权项

1、一种利用石英坩埚、通过切克劳斯基方法制造硅单晶的方法，其包括：根据坩埚转速(Ω)、坩埚温度(T)及熔融硅和坩埚内壁接触面积与熔融硅和大气接触面积的比例(β)三个参数的关系预测生长中硅单晶中的氧浓度；以及控制坩埚转速(Ω)及坩埚温度(T)中的至少之一，使所预测的氧浓度与目标浓度一致。