[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200610092600.0 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1866482A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 林汉涂 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法，首先于一基底上连续形成包含第一导电层、绝缘层、半导体层以及第二导电层的四薄膜层，接着进行一第一光刻－蚀刻工艺，以同时图案化四薄膜层，并使半导体层与第一导电层分别形成一半导体岛与一栅极电极。接着进行一激光烧蚀工艺，以于四薄膜层中定义出一沟道图案，并移除部分第二导电层，而使第二导电层形成不相接触的一源极电极以及一漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管的方法，其包括：连续形成四薄膜层于基底上，该四薄膜层由下至上依序为第一导电层、绝缘层、半导体层以及第二导电层；进行第一光刻-蚀刻工艺，以同时图案化该四薄膜层，并使该半导体层形成半导体岛，而该第一导电层形成栅极电极；以及进行激光烧蚀工艺，以定义出沟道图案于该四薄膜层，并移除部分该第二导电层，而使该第二导电层形成不相接触的源极电极以及漏极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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