[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610092572.2 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1881577A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 熊田辉彦;信时英治;保田直纪;后藤欣哉;松浦正纯 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过使用环硼氮烷系的化合物的绝缘膜来提高绝缘材料和布线材料间的附着性或机械强度等特性的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括：在凹部埋入了第1导体层2的第1绝缘层1，在第1绝缘层上形成的刻蚀阻止层3，在刻蚀阻止层3上形成的第2绝缘层4，在第2绝缘层4上形成的第3绝缘层7，被埋入到第2绝缘层4和第3绝缘层7的凹部的第2导体层5；其特征在于：第2绝缘层4和第3绝缘层7是以含碳的环硼氮烷化合物为原料、利用化学汽相淀积法而形成的；第3绝缘层7的含碳率比第2绝缘层4的含碳率低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在凹部埋入了第1导体层的第1绝缘层；在该第1绝缘层上形成的刻蚀阻止层；在该刻蚀阻止层上形成的第2绝缘层；与该第2绝缘层相接而形成的第3绝缘层；被埋入该第2绝缘层和/或该第3绝缘层的凹部的第2导体层，其特征在于：上述第2绝缘层和上述第3绝缘层是以含碳的环硼氮烷化合物为原料、利用化学汽相淀积法而形成的；以及上述第3绝缘层的含碳率比上述第2绝缘层的含碳率低。
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