[发明专利]光掩模，制造光掩模的方法以及使用其的光刻方法和系统无效
| 申请号： | 200610092512.0 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1881086A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 许圣民;金熙范;李东根;全爘旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/14 | 分类号： | G03F7/14;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的光掩模根据使用光掩模所形成的图像类型的照射类型提供选择性区域优化。光掩模包括光偏振结构，其偏振入射到偏振结构的光。来自光刻曝光系统中的源的第一照射类型的光入射到光掩模。部分光入射到包括偏振结构的光掩模的区域，并且光的另一部分入射到不包括偏振结构的光掩模的另一区域。将入射到偏振结构的光的照射类型改变为第二照射类型，使得来自具有偏振结构的光掩模区域的入射到例如集成电路晶片衬底的光是第二照射类型。没有入射到偏振结构的部分光的照射类型没有改变，使得来自光掩模的该部分的入射到晶片的另一部分的光是第一类型。通过选择性地区域地控制光刻工序中的照射类型，在晶片的整个区域中优化曝光系统的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 制造 方法 以及 使用 光刻 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，包括：具有第一区域和第二区域的衬底；在第一和第二区域之一的衬底中形成的偏振结构，使得当第一照射类型的辐射撞击衬底和偏振结构时，在第一和第二区域之一中形成第二照射类型的辐射，并在第一和第二区域的另一个中形成第三照射类型的辐射。
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