[发明专利]等离子体处理装置的控制方法和等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200610092245.7 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1913741A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 冈信介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于均匀地产生等离子体而控制供给气体的顺序的方法。微波等离子体处理装置(100)使从微波发生器(28)输出的微波通过多个波导管(22)从槽缝天线(23)的槽缝向多块电介质零件传播，透过各电介质零件并向处理容器(10)内放射。控制装置(40)一边向处理容器(10)内供给Ar气体，一边向处理容器(10)内入射微波的功率。在Ar气体通过微波的功率进行等离子体点火后，向处理容器(10)内供给用于进行等离子体化的必要能量大于Ar气体的SiH4气体和NH3气体。由此，微波等离子体处理装置(100)可通过入射到处理容器(10)内的微波的功率使处理气体等离子体化稳定地产生优质的SiN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置的控制方法，通过入射到处理容器内的微波的功率使处理气体等离子体化，对被处理体进行等离子体处理，其特征在于：一边向所述处理容器内供给第一气体，一边向所述处理容器内入射微波的功率，通过所述微波的功率对所述第一气体进行等离子体点火后，向所述处理容器内供给用于进行等离子体化的必要能量大于所述第一气体的第二气体。
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