[发明专利]电光装置、其制造方法以及电子设备有效
| 申请号： | 200610091891.1 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1881056A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 仓科久树 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;G02F1/1333;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的电光装置，通过在形成保持电容(70)之后进行TFT(30)的氢化处理，抑制TFT(30)的元件特性的降低。保持电容(70)，为了不阻碍在TFT(30)中实施的氢化处理而形成得避开TFT(30)。更具体地，上部电容电极(300)具有：将为了在设置于各像素部的多个保持电容(70)间共用那样地沿着扫描线(3a)延伸的上部电容电极(300)，在TFT(30)之上开缺口的缺口部(301)。此外，下部电容电极(71)也在像素部相互分离使得不重叠到TFT(30)具备的半导体层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种电光装置，其特征在于，在基板之上，具备：互相交叉的多条数据线及多条扫描线，对应于前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处而设置的多个像素电极，分别电连接于前述多个像素电极的多个晶体管，和多个保持电容，其在前述晶体管的上层侧设置得平面性地看避开前述晶体管，对通过前述数据线及前述晶体管供给前述像素电极的图像信号进行暂时性地保持；前述多个保持电容之中的相邻的保持电容的分离区域存在于前述晶体管之上。
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