[发明专利]制造激光器件的方法无效
| 申请号： | 200610091605.1 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1877931A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 石田真也;小河淳;花冈大介 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/323;H01S5/343;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括在高于具有低熔点的金属的熔点的温度下使金属熔化，从而通过金属将激光器芯片固定到支架上，在低于所述熔点的加热温度下加热固定了激光器芯片的支架，之后，采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，由此密封激光器芯片。可以在产生臭氧的环境内，或者产生氧等离子体的环境下执行加热步骤。此外，在干空气或惰性气体中采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，从而制作密封封闭封装，之后在加热的同时向封装内照射紫外线。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 激光 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造激光器件的方法，其包括的步骤有：在高于具有低熔点的金属的所述熔点的温度下使所述金属熔化，从而通过所述金属将激光器芯片固定到支架上；在低于所述熔点的热处理温度下加热固定了所述激光器芯片的所述支架；以及在所述加热步骤之后，采用管壳覆盖固定了所述激光器芯片的所述支架，由此密封所述激光器芯片。
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