[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200610091594.7 申请日: 2006-06-14
公开(公告)号: CN101026084A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 手代木和雄;下别府佑三;吉本和浩;新城嘉昭 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/78
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体器件的制造方法,其包括以下步骤:(1)设置透明部件的步骤,在形成有多个半导体元件的半导体衬底的主表面上方设置透明部件;(2)第一分割步骤,与所述半导体元件的指定区域相应地分割该透明部件;(3)第二分割步骤,与所述半导体元件的外部结构相应地分割该透明部件;以及(4)分割步骤,与该透明部件的分割位置相应地将该半导体衬底分割为所述多个半导体元件。根据本发明,能够以简单的过程制造半导体器件,而不会降低半导体器件质量或加工能力。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,其包括以下步骤:设置透明部件的步骤,在形成有多个半导体元件的半导体衬底的主表面上方设置透明部件;第一分割步骤,与所述半导体元件的指定区域相对应地分割该透明部件;第二分割步骤,与所述半导体元件的外部结构相对应地分割该透明部件;以及分割步骤,与该透明部件的分割位置相对应地将该半导体衬底分割为所述多个半导体元件。
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