[发明专利]半导体存储装置

摘要

设置有两组存储单元阵列(U、L)，在各自的位线(BITUn、BITLn)上连接有在被选择时，对各位线进行放电的参考单元(RCELLU、RCELLL)。在存储单元(U)被访问时，如果参考单元)(RCELLL)被选择，位线(BITLn的电位降低至L电平，则预充电脉冲信号(PCGU)变为L电平，从存储单元阵列(U)的读出动作停止，并且，进行下次的预充电。从而，不会在读出数据中产生错误，可以实现读出动作的高速化。

主权项

1.一种半导体存储装置，具备：第一和第二位线；预充电电路，其将所述第一和第二位线预充电至规定的电位；多个存储单元，其分别与所述第一或第二位线连接，在处于选择状态时，根据所保持的信号，维持或放电被预充电的所述第一或第二位线的电荷；字线，其选择所述存储单元；参考单元，其分别与所述第一或第二位线连接，在处于选择状态时，放电被预充电的所述第一或第二位线的电荷；和参考单元用字线，其选择所述参考单元。