[发明专利]具有作为开关单元的晶体管和二极管的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200610091210.1 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1963946A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金元柱;边成宰;朴允童;李殷洪;金锡必;玄在雄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种混合型非易失性存储器，其可以处理高容量的数据，其中减少了用于处理单元位数据的单元面积。该存储器包括具有源极、漏极和控制栅极的晶体管。第一存储节点连接到晶体管以根据晶体管控制栅极的操作存储电荷。第一字线连接到晶体管的控制栅极，且第一位线连接到晶体管的漏极。二极管具有连接到晶体管的源极的一端以整流来自晶体管源极的电信号，且第二存储节点连接到二极管的另一端以存储电阻变化。第二位线连接到第二存储节点，且第二字线连接到晶体管的源极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 作为 开关 单元 晶体管 二极管 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种混合型非易失性存储器，包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；第一存储节点，耦合到所述晶体管以根据所述晶体管的控制栅极的操作存储电荷；第一字线，连接到所述晶体管的控制栅极；第一位线，连接到所述晶体管的漏极；二极管，具有连接到所述晶体管的源极的一端以整流来自所述晶体管的源极的电信号；第二存储节点，连接到所述二极管的另一端以存储电阻变化(resistancevariation)；第二位线，连接到所述第二存储节点；和第二字线，连接到所述晶体管的源极。
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