[发明专利]薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法无效
| 申请号： | 200610089924.9 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1917249A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储元件，包含存取电路，位于该存取电路上方的电极，位于该电极层之上的相变化存储桥阵列，以及位于该相变化存储桥阵列之上的多个位元线。该电极层包含电极对。电极对包含具有一上端的第一电极，具有一上端的第二电极以及介于该第一电极和该第二电极之间的绝缘构件。存储材料桥横越该绝缘构件，并定义横越该绝缘构件、介于该第一和第二电极的电极间的通路。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 相变 随机存取存储器 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包含：可编程存储单元，包含具有一上表面的第一电极、具有一上表面的第二电极、位于该第一电极和该第二电极之间的绝缘构件、以及位于该第一和第二电极间并横越该绝缘构件的桥，该桥具有第一端和第二端，该第一端与该第一和第二电极的该上表面相接触，其中该桥包含具有至少两个固相的存储材料；以及绝缘元件，具有位于该第二电极之下的终端，以及延伸于该终端及该第二电极之间的导体。
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