[发明专利]用于嵌入NROM的方法无效
| 申请号： | 200610089846.2 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1877812A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 利安·布洛姆 | 申请（专利权）人： | 赛芬半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种用于使非易失性存储器嵌入有逻辑电路的方法，而不改变逻辑电路和NVM元件的性能(和/或不改变逻辑电路和NVM元件的制造步骤的顺序)。该嵌入工艺包括以维持CMOS性能的方式将NVM器件和阵列工艺步骤插入到现有逻辑CMOS工艺中，由此使得能使用现有电路库。因此NVM可以与高速低压CMOS结合，而不存在任何性能或可靠性的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 嵌入 nrom 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于将NROM(氮化物只读存储器)工艺步骤和HVCMOS器件嵌入到高速逻辑CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺步骤中的方法，该方法包括：形成用于逻辑CMOS和用于NROM以及高压CMOS元件的隔离区；形成所述NROM和所述高压(HV)CMOS元件的高热驱动工艺元件；和形成所述逻辑CMOS元件的中热驱动工艺元件；并且形成用于所述逻辑CMOS和用于所述NROM以及所述高压CMOS元件的低热驱动工艺元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
