[发明专利]具有单元二极管和互相自对准的底电极的相变存储单元及其制造方法

摘要

提供在其中具有垂直二极管的集成电路器件。该器件包括集成电路衬底和集成电路衬底上的绝缘层。接触孔贯穿绝缘层。垂直二极管在接触孔的下部区域中以及接触孔中的底电极具有在垂直二极管的顶表面上的底表面。底电极与垂直二极管自对准。底电极的顶表面面积小于接触孔的水平截面面积。还提供形成该集成电路器件和相变存储单元的方法。

主权项

1.一种包括垂直二极管的集成电路器件，包括：集成电路衬底；集成电路衬底上的绝缘层；贯穿绝缘层的接触孔；接触孔的下部区域中的垂直二极管；以及接触孔中的底电极，并且该底电极具有在垂直二极管的顶表面上的底表面，该底电极与垂直二极管自对准，以及具有小于接触孔的水平截面面积的顶表面面积。