[发明专利]化合物半导体装置有效
| 申请号： | 200610089830.1 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1874155A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;日下佑一;榊原干人 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化合物半导体装置。以往，在邻近的两个元件间配置高浓度杂质区域，通过施加浮动电位或GND电位来提高两元件间的隔离的方式，在泄漏的高频信号的功率大的情况下使高浓度杂质区域的电位变动，而不能充分确保两元件间的隔离。为解决该问题，在邻近的两个元件间配置传导区域或金属层构成的分离元件。分离元件连接高电阻元件，与直流端子焊盘连接。另外，从直流端子焊盘到分离元件的连接路径成为电位不进行高频振动的路径。由此，至少一侧上高频信号传送的两元件间配置高频GND电位，防止两元件间的高频信号的泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体装置，其在化合物半导体衬底上集成化多个包含晶体管与直流端子焊盘的元件，其特征在于，具有：直流端子，其向上述晶体管施加直流电位；第一元件及第二元件，高频信号在其至少任一个中传送且经由分离区域互相邻近；分离元件，其设置在上述第一元件及第二元件间的上述衬底上；高电阻元件，其与上述分离元件连接；第一路径，其连接上述直流端子与上述晶体管；第二路径，其连接上述分离元件和上述直流端子焊盘并向上述分离元件施加直流电位，通过由上述分离元件遮断上述第一元件及上述第二元件间的上述高频信号的泄漏。
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