[发明专利]薄膜晶体管控制的薄膜场发射显示器件

摘要

薄膜晶体管控制的薄膜场发射显示器件，属于真空电子发射型平板显示技术领域。本发明的特征是在阴极基板上还设有与列电极平行的地电极和三极型薄膜晶体管，该薄膜晶体管与由电子注入电极、电子引出电极和两极之间的电子传导发射层构成的二极型薄膜场发射阴极连接，构成发射单元，三极型薄膜晶体管由栅极，源极，漏极，栅极所在平面与源极、漏极所在平面之间的绝缘层以及绝缘层上的半导体薄膜构成；源极与地电极连接，栅极与行电极连接，漏极与电子注入电极连接，电子引出电极与列电极连接。本发明成功地解决了普通表面传导发射显示器件中行电流过大的问题，可直接施加驱动电压就能产生电子发射，大大节省了工艺处理时间，适合大规模生产。

主权项

1.一种薄膜晶体管控制的薄膜场发射显示器件，含有阴极基板、阳极基板、封接结构(18)和支撑结构(17)，所述的阴极基板包括阴极基板玻璃(30)、设置在阴极基板玻璃上的行电极(31)、列电极(32)、电极与电极之间交叉点上的介质隔离层(312)以及行、列电极之间的二极型薄膜场发射阴极，该二极型场薄膜场发射阴极由电子注入电极(34)、电子引出电极(35)以及它们之间的电子传导发射层(36)组成；所述的阳极基板包括阳极基板玻璃(10)、设置在阳极基板玻璃上的三基色荧光粉(11、12、13)、黑底(14)和铝膜阳极(15)，其特征在于：所述的阴极基板上还包括与列电极(32)平行设置的地电极(33)和三极型薄膜晶体管；所述的二极型薄膜场发射阴极与三极型薄膜晶体管连接，设置在列电极和地电极之间，所述的三极型薄膜晶体管由栅极(37)，源极(38)，漏极(39)，栅极所在平面与源极、漏极所在平面之间的绝缘层(310)以及该绝缘层上的半导体薄膜(311)构成，其中所述的源极(38)与地电极(33)连接，所述的栅极(37)与行电极(31)连接，所述的漏极(39)与电子注入电极(34)连接，所述的电子引出电极(35)与列电极(32)连接。