[发明专利]新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管

摘要

新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的结构如下，中间媒介层层叠在生长衬底上，该中间媒介层包括金属层，氮化镓基外延层(包括活化层)层叠在中间媒介层上，电流扩散层层叠在氮化镓基外延层上，具有优化图形的第二电极层叠在电流扩散层上，在预定区域蚀刻氮化镓基外延层直到金属层暴露，第一电极层叠在暴露的金属层上，在另外的预定区域蚀刻氮化镓基外延层直到活化层的侧面暴露，形成光学出光槽。因此，新型垂直结构的氮化镓基LED不但具有垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的优点，例如，电流分布均匀，电流拥塞改善，电流密度增大，电阻降低，电压降低，而且产生较少热量，光取出效率提高，不需要剥离生长衬底及晶片键合等工艺步骤。

主权项

1.一种新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管，其特征在于，其组成部分包括，但不限于：-生长衬底；-中间媒介层；其中，所述的中间媒介层层叠在生长衬底上；其中，所述的中间媒介层包括金属层；-氮化镓基外延层；其中，所述的氮化镓基外延层层叠在所述的中间媒介层上；其中，所述的氮化镓基外延层包括，但不限于，第一类型限制层，活化层，第二类型限制层；-电流扩散层；其中，所述的电流扩散层层叠于所述的氮化镓基外延层上；其中，所述的氮化镓基外延层和电流扩散层的预定部分被蚀刻，所述的金属层的相应部分暴露；-第一电极；其中，所述的第一电极层叠在所述的金属层的暴露的部分上；-第二电极；其中，所述的第二电极层叠在所述的电流扩散层上；-光学出光槽；所述的氮化镓基外延层的另外的预定部分被蚀刻，使的氮化镓基外延层中的活化层的侧面暴露，形成光学出光槽。