[发明专利]AlGaInP基发光二极管无效
| 申请号： | 200610088943.X | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114682A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 郭德博;王国宏;梁萌;范曼宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种AlGaInP基发光二极管，其特征在于，包括：一反射器；一n型下限制层，该n型下限制层制作在反射器之上，提供载流子限制作用；一有源层，该有源层生长在n型下限制层之上；一p型上限制层，该p型上限制层制作在有源层之上，提供载流子限制作压；一窗口层，该窗口层键合在p型上限制层之上，以促进电流扩展和提高光提取率；一p型金属电极，该p型金属电极与GaP窗口层形成良好的欧姆接触；一n型金属电极，该n型金属电极制作在反射器的下面。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaInP基发光二极管，其特征在于，包括：一反射器；一n型下限制层，该n型下限制层制作在反射器之上，提供载流子限制作用；一有源层，该有源层生长在n型下限制层之上；一p型上限制层，该p型上限制层制作在有源层之上，提供载流子限制作用；一窗口层，该窗口层键合在p型上限制层之上，以促进电流扩展和提高光提取率；一p型金属电极，该p型金属电极与GaP窗口层形成良好的欧姆接触；一n型金属电极，该n型金属电极制作在反射器的下面。
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