[发明专利]溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底有效
| 申请号： | 200610088618.3 | 申请日： | 2003-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1869277A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;川村久幸 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;邹雪梅 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 作成一种烧结体，其含有作为成分的氧化铟、氧化锌、氧化锡的1种以上，在该烧结体中含有氧化铪、氧化钽、镧系氧化物、及氧化铋的任1种以上的金属。在该烧结体上安装背板构成溅射靶。利用该溅射靶通过溅射在给定衬底上制造导电膜。该导电膜维持与过去相同程度的透明性，同时实现大的功函数。使用该导电膜，能够实现空穴注入效率提高的EL元件等。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 烧结 利用 它们 制造 导电 有机 el 元件 及其 所用 衬底 | ||
【主权项】：
1.金属氧化物薄膜，其特征在于，包含选自氧化锌、氧化锡中的一种或多种氧化物、和至少一种或一种以上镧系金属氧化物，电阻率为10+4Ωcm～10+8Ωcm。
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