[发明专利]蚀刻量测量装置、蚀刻装置及蚀刻量测量方法有效
申请号: | 200610087963.5 | 申请日: | 2006-06-08 |
公开(公告)号: | CN1877254A | 公开(公告)日: | 2006-12-13 |
发明(设计)人: | 久保田尚树;堀田哲广 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01B21/08 | 分类号: | G01B21/08;G01B21/18;C23F4/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种蚀刻量测量装置50,在使用离子束26对衬底22进行蚀刻时,测量衬底22的蚀刻量。蚀刻量测量装置50具备,形成有用于导入离子束26的一部分26a的导入口58a的腔室58、收容在腔室58内且由离子束26的一部分26a蚀刻的被处理部件60、以及接收从被处理部件60产生的物质64同时检测所接收的物质64的质量的质量检测元件70。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 测量 装置 测量方法 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻量测量装置,其特征在于:是在使用等离子体中的活性种蚀刻被处理物时,用于测量所述被处理物的蚀刻量的蚀刻量测量装置,具备形成有用于导入所述活性种的一部分的导入口的腔室、收容在所述腔室内且由所述活性种的一部分蚀刻的被处理部件、以及接收从所述被处理部件产生的物质,同时检测所接收的所述物质的质量的质量检测元件。
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