[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610087882.5 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1893141A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李相润;郑银贞;韩政锡;韩国珉;李泰雨;朴铉定 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施方案实例用于制造有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包括基片、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物源/漏极和有机半导体层，其中金属氧化物源/漏极用含有磺酸基的形成自组装单分子层(SAM)的化合物进行表面处理。根据本发明的实施方案实例，可以将源/漏极的表面改性为更加疏水和/或可以增加构成源/漏极的金属氧化物的功函至高出构成有机半导体层的有机半导体材料的功函。根据本发明的一个或多个实施方案实例制造的有机薄膜晶体管可以显示出较高的载流子迁移率。本发明还披露了包括具有由本发明实施方案实例制成的有机薄膜晶体管的显示器件的各种器件实例。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.制造有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括基片、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物源/漏极和有机半导体层，所述方法包括：用含有磺酸基的形成自组装单分子层(SAM)的化合物处理金属氧化物源/漏极的至少一个表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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