[发明专利]半导体器件和其制造方法有效
| 申请号： | 200610087707.6 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1873964A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀和;山田大干;伊藤恭介;杉山荣二;道前芳隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L27/12;H01L21/60;H01L21/84;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件包括晶体管、形成在晶体管上的绝缘层、通过形成在绝缘层中的开口部与晶体管的源极区域或漏极区域电连接的第一导电层(相当于源极布线或漏极布线)、形成在绝缘层和第一导电层上的第一树脂层、通过形成在第一树脂层中的开口部与第一导电层电连接的含有导电粒子的层、以及设置有第二树脂层和用作天线的第二导电层的衬底。在具有上述结构的半导体器件中，第二导电层与第一导电层电连接，其中间夹有含有导电粒子的层。此外，第二树脂层形成在第一树脂层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：晶体管；形成在所述晶体管上的绝缘层；通过形成在所述绝缘层中的开口部与所述晶体管的源极区域或漏极区域电连接的第一导电层；形成在所述绝缘层上的第一树脂层；通过形成在所述第一树脂层中的开口部与所述第一导电层电连接的含有导电粒子的层；以及设置有第二树脂层和第二导电层的衬底，其中，所述第二导电层与所述第一导电层电连接，其中间夹有所述含有导电粒子的层，所述衬底提供在所述第一树脂层上，其中间夹有所述第二树脂层。
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