[发明专利]用于二次电池的负极、二次电池及制造该负极的方法有效
| 申请号： | 200610087664.1 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1874032A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 广瀬贵一;小西池勇;川瀬贤一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/36;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够改善循环特性的用于二次电池的负极、使用该负极的二次电池、和制造用于二次电池的负极的方法。负极活性材料层通过气相沉积法形成，且包含Si作为构成元素。在负极活性材料层中，有在厚度方向上生长的多个一次粒子。该一次粒子聚集并形成多个二次粒子。至少一些一次粒子具有在厚度方向上在横截面上相对负极集电体以相同方向弯曲的形状。从而，可使由于因充电和放电而膨胀和收缩引起的应力缓和。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二次 电池 负极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于二次电池的负极，其中包含硅(Si)作为构成元素的负极活性材料层提供在负极集电体上，其中该负极活性材料层具有对该负极集电体生长的多个一次粒子，和该一次粒子的至少一部分具有对该负极集电体弯曲的形状。
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