[发明专利]一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法无效
| 申请号： | 200610087627.0 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1944613A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/66 | 分类号： | C11D1/66;C11D3/30;H01L21/304 |
| 代理公司： | 国嘉律师事务所 | 代理人： | 卢枫 |
| 地址： | 300385天津市天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂及助氧剂作用的有机碱、能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的表面活性剂和水共同组成，其中有机碱占40～45％，表面活性剂占7～15％，水占40～53％。清洗方法为先在清洗中加入8～15倍去离子水，在50～60℃超声清洗5～10分钟，清洗两次；再用去离子水在50～60℃超声漂洗5～10分钟，漂洗两次，然后喷淋、烘干。本发明的优越性在于：1.清洗剂能够克服刷片清洗和RCA清洗自身难以克服的缺点，达到较好的清洗效果；2.工艺简单，操作方便；3.满足环保要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 集成电路 衬底 硅片 洗剂 及其 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂及助氧剂作用的有机碱，能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递的表面活性剂，能够去除金属离子的螯合剂和水共同组成，其中有机碱占40～45％，表面活性剂占5～10％，螯合剂占0.5～1％，水占40～53％。
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