[发明专利]液晶显示器件的阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610087165.2 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1964056A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李锡宇;朴容仁 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/82;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于LCD器件的阵列基板，包括：包含显示区域和在显示区域外围的非显示区域的基板；非显示区域中的驱动电路；显示区域中的第一TFT；显示区域中的存储电容，其包括第一存储电极、第一存储电极之上的第二存储电极和第二存储电极之上的第三存储电极，其中第一存储电极包括第一半导体层和第一半导体层上的对向电极，第三存储电极包括第一透明电极图案和第一透明电极图案上的第二金属图案；在显示区域中彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线；和像素区域中与第一TFT连接的像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 器件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：包括显示区域和在显示区域外围处的非显示区域的基板；非显示区域中的驱动电路；在显示区域中的第一薄膜晶体管；显示区域中的存储电容，其包括第一存储电极、第一存储电极之上的第二存储电极和第二存储电极上方的第三存储电极，其中第一存储电极包括第一半导体层和第一半导体层上方的对向电极，第三存储电极包括第一透明电极图案和第一透明电极图案上方的第二金属图案；显示区域中彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线；和像素区域中与第一薄膜晶体管连接的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
