[发明专利]一种连续化学气相淀积的方法与装置无效

专利信息
申请号: 200610085969.9 申请日: 2006-06-10
公开(公告)号: CN1865497A 公开(公告)日: 2006-11-22
发明(设计)人: 孟广耀;刘铭飞 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;C23C16/448;C23C16/48
代理公司: 合肥华信专利商标事务所 代理人: 余成俊
地址: 230026*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明连续化学气相淀积方法与装置,特征是经过预处理的衬底依次通过多个衔接在一起但系统参数各自独立控制的CVD反应室,在每个反应室中分别实现一个薄膜材料层的生长或进行一种热处理工艺过程,从而连续完成多层薄膜材料的淀积制备。各层薄膜的淀积参数独立控制,在不同淀积层淀积过程中不需要改变体系的反应参数,可以大大节省升降温过程中的操作时间,同时防止设备在多次的热循环过程中影响其使用寿命。不同层材料的生长室之间采用分隔器分隔,防止上反应室尾气影响下层的淀积;本发明可以实现在大面积衬底上连续性薄膜淀积制备,并大大提高了源物质和热能的使用效率,是一种节能、节材、简单易控的产业化方法设备。
搜索关键词: 一种 连续 化学 气相淀积 方法 装置
【主权项】:
1、一种连续化学气相淀积方法,包括向CVD反应室中注入气态或能汽化的液态或固态源化合物,在被加热的经过预处理的衬底表面生成固态淀积物,并排出尾气;其特征在于:所述衬底在源物质气体的流动方向上缓慢移动,依次通过多个衔接在一起但系统参数各自独立控制的CVD区域,在每个反应区域中分别实现一个薄膜材料层的生长或进行一种热处理工艺过程,从而连续完成多层薄膜材料的生长和制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610085969.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top