[发明专利]一种连续化学气相淀积的方法与装置无效
申请号: | 200610085969.9 | 申请日: | 2006-06-10 |
公开(公告)号: | CN1865497A | 公开(公告)日: | 2006-11-22 |
发明(设计)人: | 孟广耀;刘铭飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/448;C23C16/48 |
代理公司: | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230026*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明连续化学气相淀积方法与装置,特征是经过预处理的衬底依次通过多个衔接在一起但系统参数各自独立控制的CVD反应室,在每个反应室中分别实现一个薄膜材料层的生长或进行一种热处理工艺过程,从而连续完成多层薄膜材料的淀积制备。各层薄膜的淀积参数独立控制,在不同淀积层淀积过程中不需要改变体系的反应参数,可以大大节省升降温过程中的操作时间,同时防止设备在多次的热循环过程中影响其使用寿命。不同层材料的生长室之间采用分隔器分隔,防止上反应室尾气影响下层的淀积;本发明可以实现在大面积衬底上连续性薄膜淀积制备,并大大提高了源物质和热能的使用效率,是一种节能、节材、简单易控的产业化方法设备。 | ||
搜索关键词: | 一种 连续 化学 气相淀积 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种连续化学气相淀积方法,包括向CVD反应室中注入气态或能汽化的液态或固态源化合物,在被加热的经过预处理的衬底表面生成固态淀积物,并排出尾气;其特征在于:所述衬底在源物质气体的流动方向上缓慢移动,依次通过多个衔接在一起但系统参数各自独立控制的CVD区域,在每个反应区域中分别实现一个薄膜材料层的生长或进行一种热处理工艺过程,从而连续完成多层薄膜材料的生长和制备。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的