[发明专利]磁存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610085067.5 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1873827A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 古贺启治 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/10;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可靠性高的磁存储器及其制造方法。在磁轭(5)和感磁层(5b)的磁连接部附近，感磁层(5b)内的磁化的方向紊乱。即，如果读出时起作用的感磁层(5b)中的固定层相对区域的磁化的方向不紊乱，则可靠性提高。所以，在本磁存储器中，使固定层(43、44)的面积(S1)比感磁层(5b)的面积(S2)小，在感磁层(5b)的与固定层相对的部分，形成与其周围的区域相比、磁化的方向相对不紊乱的结构，使数据读出时的可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，具有二维排列的多个存储区域，其特征在于：所述多个存储区域分别具有：将感磁层、非磁性层和固定层叠层形成的磁阻效应元件；包围写入配线的外周并产生赋予所述感磁层的磁力线的磁轭；和与所述磁阻效应元件电连接的读出配线，所述固定层的面积比所述感磁层的面积小。
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