[发明专利]半导体结构和形成该半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200610085035.5 | 申请日： | 2006-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1870294A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 盖伊·M.·科恩;保罗·M.·所罗门 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种具有形成FET沟道的纳米线的垂直FET结构。在导电的硅化物层之上形成纳米线。纳米线通过围绕的栅极而被栅极化。顶部和底部绝缘体插塞用作栅极间隔物并减小栅极－源极和栅极－漏极电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：位于半导体衬底的一部分上或之内的硅化物接触层；位于所述硅化物接触层上的多个纳米线；围绕所述多个纳米线的栅极电介质；位于所述栅极电介质上的栅极导体；和位于所述纳米线的每个端部的源极和漏极。
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